liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
關鍵詞：
LPE外延爐
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好，廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中
怎么才能選擇一款適合您的？
讓我們協助您！
我們的專家盡快與您聯系，滿足您更多需求。
最新產品
LPCVD立式爐
LPCVD臥式爐
SiC高溫退火爐
SiC高溫氧化爐
臥式爐
立式爐
MPCVD長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
HVPE外延爐——臥式
HVPE外延爐——立式
最新新聞
國產化進程再加速！山東力冠自主研發12英寸立式爐新品正式發布
山東力冠升級PVT設備，引領8-12英寸碳化硅晶圓高效量產
國產半導體裝備迎重大進展！山東力冠微電子裝備推出12英寸液相法SiC長晶爐
槐蔭區第十九屆人大常委會成員蒞臨山東力冠微電子裝備有限公司視察調研
從8英寸PVT設備批量交付到12英寸電阻法長晶系統商業化落地——第三代半導體裝備國產化進程提速
山東力冠微電子裝備二期項目正式簽約！
在線留言
擴散/氧化/退火
CVD設備
SiC單晶生長設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長設備
金剛石單晶生長設備
地址：濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站
