產(chǎn)品分類
LPCVD設(shè)備
所屬分類：
立式爐管設(shè)備
產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體芯片設(shè)備
LPCVD設(shè)備
概要：
?適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ?適用材料：Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ?適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon (Poly-Si / U-Poly / D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.
關(guān)鍵詞：
臥式爐
LPCVD設(shè)備
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
♦適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging
♦適用材料：Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC)
♦晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
♦適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon (Poly-Si / U-Poly / D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.
技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：
♦制程溫度范圍：300°C-1000°C Process Temperature Range: 300°C-1000°C
♦批次片數(shù)：100-125片 Batch Capacity: 100-125 pcs
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