SiC高溫氧化爐

所屬分類：

氧化/擴散/退火

半導(dǎo)體工藝設(shè)備

SiC高溫氧化爐

概要：

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。適用工藝：氧化

關(guān)鍵詞：

SiC高溫氧化爐

SiC高溫氧化爐

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。

A high-temperature oxidation process specifically designed for SiC wafers, capable of completing the oxidation process in a high-temperature vacuum environment. O2, N2O, NO, NO2 or wet oxidation can be used, using non-metallic heating and vacuum equipment.

適用工藝：氧化

Applicable process: oxidation

技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：

♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches

♦ 制程溫度范圍: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C

♦ 批次片數(shù): 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs

產(chǎn)品特點/ Product characteristics：

♦ 采用立式結(jié)構(gòu)、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

♦Robot自動傳送

Robot Auto Transfer (Optional)

♦ 多點控溫，溫度均勻