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山東力冠微電子裝備

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HVPE 法單晶生長設備 —臥式

適用領域:單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN(單晶)、AIN(單晶/外延)、Ga2O3(外延) Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:? 8/6 英寸 Wafer Size: 8/6? inch

HVPE 法單晶生長設備 —立式

適用領域:單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN(單晶)、AIN(單晶/外延)、Ga2O3(外延) Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch

PVT法長晶爐——電阻爐

適用領域:單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?SiC、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch

PVT法長晶爐——感應爐

適用領域:單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?Si、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch

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